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PECVD
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) — 等离子加强化学气相沉积法。
PECVD：是依靠微波加热或微波射频等使带有塑料薄膜构成分子的汽体水解，在部分产生等离子，而等离子有机化学活力很强，非常容易产生反映，在硅片上堆积派出所期待的塑料薄膜。为了更好地使化学变化能在较低的溫度下开展，行驶了等离子的活力来推动反映，因此这类CVD称之为等离子加强化学气相沉积(PECVD).
定义
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) — 等离子加强化学气相沉积法
PECVD：是依靠微波加热或微波射频等使带有塑料薄膜构成分子的汽体水解，在部分产生等离子，而等离子有机化学活力很强，非常容易产生反映，在硅片上堆积派出所期待的塑料薄膜。为了更好地使化学变化能在较低的溫度下开展，行驶了等离子的活力来推动反映，因此这类CVD称之为等离子加强化学气相沉积(PECVD).
试验原理
是依靠微波加热或微波射频等使带有塑料薄膜构成分子的汽体，在部分产生等离子，而等离子有机化学活力很强，非常容易产生反映，在硅片上堆积派出所期待的塑料薄膜。
益处
基本上温度低；堆积速度快；涂膜性价比高，针眼较少，不容易开裂。
瑕玷
1.机器设备项目投资大、成本增加，对空气的纯净度规定高；
2.镀层全过程中形成的强烈噪声、强光辐射、有害物质、金属材料蒸气烟尘等对身体有危害；
3.对小圆孔直径内外型无法镀层等。
4.堆积以后造成的废气不容易解决。
事例：在PECVD加工工艺中由于等离子中快速运动的电子器件撞到中性化的反映汽体分子结构，便会使中性化反映汽体分子结构变为残片或处在激话的情况非常容易出现反映。衬底溫度通常维持在350℃上下就可以获得出色的SiOx或SiNx塑料薄膜，可以做为电子器件最终的钝化珍惜层，发展电子器件的稳定性。
事例
在PECVD加工工艺中由于等离子中快速运动的电子器件撞到中性化的反映汽体分子结构，便会使中性化反映汽体分子结构变为残片或处在激话的情况非常容易出现反映。衬底溫度通常维持在350℃上下就可以获得出色的SiOx或SiNx塑料薄膜，可以做为电子器件最终的钝化珍惜层，发展电子器件的稳定性。
几类PECVD安装
图（a）是一种非常简单的电感耦合造成等离子的PECVD安装，可以在试验室中应用。
图b）它是一种平行面板结构安装。衬底放到具备温度控制安装的下边平板电脑上，气体压强通常维持在133Pa上下，微波射频工作电压加在左右平行面板中间，因此在左右平板电脑间便会发生电容耦合式的汽体充放电，并造成等离子。
图（c）是一种扩散炉内置放多个平行面板、由电容传感器充放电造成等离子的PECVD安装。它的设计方案关键为了更好地相互配合加工厂制造的必需，提高炉生产量。
CVD运用：
在半导体材料工业生产中的运用伴随着半导体材料工业生产的发展趋势,塑料薄膜原材料在半导体材料工业生产中也拥有普遍的主要用途,如可以作为栅电级、双层走线的固层绝缘层膜、金属材料走线、电阻器及其排热原材料等。选用极高真空泵(UHV) / 紫外线( HV) 能 量协助化学气相沉积加工工艺生长发育的SiGe/ Si 原材料以其快速、成本低的引风,向传统式的Si和GaAs 技术性产生明显的叫嚣。行驶UHV/UV/ CVD 加工工艺可在较低温度下获得SiGe 原材料,防止了传统手工艺因高溫而产生的芯片涨缩、毁坏金属材料走线等曲线图,转化成的SiGe 单晶体塑料薄膜外型平整光洁,横断面匀称。在集成电路工艺电子器件制造中,化学气相沉积还能够用于堆积多晶硅膜、钨膜、铝模、金属材料硅化物、二氧化硅膜及其氮化硅膜等。
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