真空镀膜技术相关参数测量——膜厚的计算及测量

《真空镀膜技术》专题讲座早已走进了还有一期，感激诸位的支撑点！你们的支撑点是大家坚持不懈的驱动力。上一期大家说的是真空镀膜机，这期大家就而言说，膜厚的测算及精确测量。

膜厚的测算

在真空泵中汽体分子结构的真空磁导率为：L = 0.65 / p (cm)，在其中p的企业是Pa。当p = 1.3×10-3 Pa时，L≈500 cm。L>>硅片到挥发源的间距，分子结构作平行线主题活动。

设挥发源为点挥发源，单位时间内根据一切方位一立体角dω的品质为：

挥发成分抵达任一方位总面积元ds品质为：

设挥发物的相对密度为ρ，单位时间淀积在ds上的膜厚为t，则：

较为以上两式可获得：

塑料薄膜薄厚的精确测量

• 干预光学显微镜法

干涉条纹间隔Δ0，花纹挪动Δ，阶梯高为

• 石英石晶振电路法

广泛运用于薄膜淀积全过程中薄厚的即时精确测量，关键运用于淀积速率，薄厚的检测，还能够相反（与电子信息技术融合）操纵成分挥发或熔炼的速度，进而完成针对淀积全过程的积极操纵。

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