开路电压电路板的试验及步骤

前言

根据引路工作电压（OCV）的电量计DS2786在出产时将锁定的OCV特点和默认设置配备载入到EEPROM中。为了更好地提升OCV电量计的精密度并使DS2786融入特殊的运用场所，必需时要对DS2796的EEPROM开展再程序编写。文中叙述了怎样对EEPROM开展程序编写及怎样对早已安裝好的线路板开展检测。

板极检测

下面得出了一个安裝充电电池包以前检测根据DS2786 OCV线路板的事例。图1为线路板的电路设计图，使用了DS2786的任何作用。图内全部关键的测试用例（共7个）都用带圈数字标明。测试步骤假设电源电路中的全部分立元件早已过检测，因而，检测目地为确定路线联接，进而认证安裝的线路板是不是恰当。

图1. 务必认证的电源电路连接点

测试流程1：检测复位。该过程的效果是明确线路板中能否存有立即短路故障，是不是能开展通讯。元器件取得成功通讯后可以载入工作电压存储器读值，以认证SDA和SCL联接（连接点1）、Pack 和VDD管脚中间的联接（连接点2），及其Pack-和VSS管脚（连接点3）中间的联接是不是恰当。除此之外，根据载入工作电压存储器并确定检测是不是合理，可以认证VIN管脚（连接点4）联接是不是恰当。

Pack 与Pack-间接性4.0V开关电源。

等候880ms。 等候工作电压变换。

读工作电压存储器： 2字节数。

若未产生通讯表明电源电路安装失败。

若工作电压读值有误表明电源电路安装失败。

测试流程2：认证SNS （连接点5）。根据高效的电流量检测验证SNS管脚联接是不是恰当。

Pack 与Pack-间接性4.0V开关电源。

Pack-与系统软件VSS间电流量为1.0A。

等候880ms。 等候电流量变换

读电流量存储器： 2字节数。

若电流量读值不精确表明电源电路安装失败。

测试流程3：认证辅助输入AIN0和AIN1联接（连接点6）。根据高效的电阻器精确测量验证AIN0和AIN1管脚联接是不是恰当。这一步是可选择的。

在PackID端与Pack-间接性10kΩ电阻器。

在Therm端与Pack-间接性10kΩ电阻器。

Pack 与Pack-间接性4.0V开关电源。

等候880ms。 等候辅助输入变换。

读AIN0和AIN1： 4字节数。

若AIN0/AIN1读值不精确表明电源电路安装失败。

测试流程4：认证VPROG并对EEPROM程序编写（连接点8）。必须保证一个测试用例用以联接程序编写工作电压至VPROG管脚，以对DS2786的EEPROM开展程序编写。根据写EEPROM和拷贝EEPROM可以认证该联接是不是恰当，并认证EEPROM是不是已升级。EEPROM中包含了电流量失衡偏置存储器（COBR），因而在程序编写EEPROM以前校正COBR是有益健康的。

Pack 与Pack-间接性4.0V开关电源。

校正COBR。 若期待开展COBR校正，可以参考下面的详细描述。

写主要参数EEPROM区： 32字节数。

将主要参数拷贝到EEPROM。

等候14ms。 等候拷贝EEPROM。

向主要参数EEPROM区写0xFFh： 31字节数非储存器详细地址0x7Dh）*。

从EEPROM中读取主要参数。

读主要参数EEPROM区： 32字节数。

假如从EEPROM中载入到的32个字节数都没法与原来载入的32字节数相符合，表明电源电路安装失败。

*不必向储存器详细地址7Dh载入0xFFh，不然从详细地址将转变而且元器件将终止回应当今从详细地址。

电流量失衡偏置存储器的校正

根据电流量失衡偏置存储器，可在 3.175mV至-3.2mV间调整DS2786电流量精确测量結果，步幅为25μV。COBR的在出厂初始值为0x00h。下列事例列举了校正DS2786电流量失衡偏置存储器的流程：

给DS2786通电，保证检验电阻器中无电流量。

向COBR中写0x00h （储存器详细地址0x60h）。

等候880ms，直到下一个变换周期时间来临。

读电流量存储器。

依据具体必须，反复多次流程3和流程4，直到得到均值电流量读值。

将均值电流量读值的相对应值载入COBR。

将COBR值拷贝到EEPROM （该流程应与将全部值拷贝到EEPROM结合在一起一同开展）。

汇总

要对拼装好的根据OCV电量计DS2786开展恰当认证，必须检测电源电路中的每一个点焊。测试流程1、2和3可以并成一个流程以减少检测時间，尤其是可以减少变换时间延迟。

除此之外，检测期内对EEPROM程序编写可以带来更合理的测试步骤，与此同时可以给予充足的時间增加储存主要参数（包含电流量失衡偏置）至EEPROM需要的程序编写工作电压。

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