前言
根据引路工作电压(OCV)的电量计DS2786在出产时将锁定的OCV特点和默认设置配备载入到EEPROM中。为了更好地提升OCV电量计的精密度并使DS2786融入特殊的运用场所,必需时要对DS2796的EEPROM开展再程序编写。文中叙述了怎样对EEPROM开展程序编写及怎样对早已安裝好的线路板开展检测。
板极检测
下面得出了一个安裝充电电池包以前检测根据DS2786 OCV电源电路板的事例。图1为线路板的电路设计图,使用了DS2786的任何作用。图内全部关键的测试用例(共7个)都用带圈数字标明。测试步骤假设电源电路中的全部分立元件早已过检测,因而,检测目地为确定路线联接,进而认证安裝的线路板是不是恰当。
图1. 务必认证的电源电路连接点
测试流程1:检测复位。该过程的效果是明确线路板中能否存有立即短路故障,是不是能开展通讯。元器件取得成功通讯后可以载入工作电压存储器读值,以认证SDA和SCL联接(连接点1)、Pack 和VDD管脚中间的联接(连接点2),及其Pack-和VSS管脚(连接点3)中间的联接是不是恰当。除此之外,根据载入工作电压存储器并确定检测是不是合理,可以认证VIN管脚(连接点4)联接是不是恰当。
Pack 与Pack-间接性4.0V开关电源。
等候880ms。 等候工作电压变换。
读工作电压存储器: 2字节数。
若未产生通讯表明电源电路安装失败。
若工作电压读值有误表明电源电路安装失败。
测试流程2:认证SNS (连接点5)。根据高效的电流量检测验证SNS管脚联接是不是恰当。
Pack 与Pack-间接性4.0V开关电源。
Pack-与系统软件VSS间电流量为1.0A。
等候880ms。 等候电流量变换
读电流量存储器: 2字节数。
若电流量读值不精确表明电源电路安装失败。
测试流程3:认证辅助输入AIN0和AIN1联接(连接点6)。根据高效的电阻器精确测量验证AIN0和AIN1管脚联接是不是恰当。这一步是可选择的。
在PackID端与Pack-间接性10kΩ电阻器。
在Therm端与Pack-间接性10kΩ电阻器。
Pack 与Pack-间接性4.0V开关电源。
等候880ms。 等候辅助输入变换。
读AIN0和AIN1: 4字节数。
若AIN0/AIN1读值不精确表明电源电路安装失败。
测试流程4:认证VPROG并对EEPROM程序编写(连接点8)。必须保证一个测试用例用以联接程序编写工作电压至VPROG管脚,以对DS2786的EEPROM开展程序编写。根据写EEPROM和拷贝EEPROM可以认证该联接是不是恰当,并认证EEPROM是不是已升级。EEPROM中包含了电流量失衡偏置存储器(COBR),因而在程序编写EEPROM以前校正COBR是有益健康的。
Pack 与Pack-间接性4.0V开关电源。
校正COBR。 若期待开展COBR校正,可以参考下面的详细描述。
写主要参数EEPROM区: 32字节数。
将主要参数拷贝到EEPROM。
等候14ms。 等候拷贝EEPROM。
向主要参数EEPROM区写0xFFh: 31字节数非储存器详细地址0x7Dh)*。
从EEPROM中读取主要参数。
读主要参数EEPROM区: 32字节数。
假如从EEPROM中载入到的32个字节数都没法与原来载入的32字节数相符合,表明电源电路安装失败。
*不必向储存器详细地址7Dh载入0xFFh,不然从详细地址将转变而且元器件将终止回应当今从详细地址。
电流量失衡偏置存储器的校正
根据电流量失衡偏置存储器,可在 3.175mV至-3.2mV间调整DS2786电流量精确测量結果,步幅为25μV。COBR的在出厂初始值为0x00h。下列事例列举了校正DS2786电流量失衡偏置存储器的流程:
给DS2786通电,保证检验电阻器中无电流量。
向COBR中写0x00h (储存器详细地址0x60h)。
等候880ms,直到下一个变换周期时间来临。
读电流量存储器。
依据具体必须,反复多次流程3和流程4,直到得到均值电流量读值。
将均值电流量读值的相对应值载入COBR。
将COBR值拷贝到EEPROM (该流程应与将全部值拷贝到EEPROM结合在一起一同开展)。
汇总
要对拼装好的根据OCV电量计DS2786开展恰当认证,必须检测电源电路中的每一个点焊。测试流程1、2和3可以并成一个流程以减少检测時间,尤其是可以减少变换时间延迟。
除此之外,检测期内对EEPROM程序编写可以带来更合理的测试步骤,与此同时可以给予充足的時间增加储存主要参数(包含电流量失衡偏置)至EEPROM需要的程序编写工作电压。
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