前言
LT8645S 和 LT8646S 是 65 V 同歩降血压型片式式稳压电源,适用 8 A 导出。他们的 Silent Switcher® 2 构架可完成出色的 EMI 特性,这与线路板合理布局不相干。LT8646S 具备 RC 外界赔偿作用电源电路,以提升瞬态回应。
宽键入范畴和高导出电流量片式式解决方法
当设计方案用以 48 V 系统总线系统软件的降血压型转化器时,开关电源室内设计师更倾向于挑选控制板解决方法 (外界 MOSFET),而不是规格小得多的片式式稳压电源 (內部 MOSFET),这是由于,可以解决这般高输出工作电压的片式式稳压电源屈指可数,在其中大部分的导出电流量被限定在 5 A 下列。LT8645S/LT8646S 片式式稳压电源消除了这一陈规。
LT8645S/LT8646S 的 65 V 键入、高电流量片式式 Silent Switcher 2 降血压型稳压电源接纳 3.4 V 至 65 V 的宽键入电流电压范畴,并适用达到 8 A 的导出电流量。图 1 示出了一款选用 LT8645S 的详细 12 V 导出 (在 8 A) 解决方法。LT8645S 应用內部赔偿,因此可降低外界部件数额并优化设计方案。旁通电力电容器的集成化进一步减缩了整体解决方法规格。如下图 2 所显示,该解决方法的高效率做到 97%。
图 1.选用 LT8645S (在 400 kHz) 的 12 V、8 A 运用电源电路。
图 2.LT8645S 12 V/8 A 导出高效率(图 1 所显示设计方案)。
迅速瞬态回应和极低 EMI
对于指定的运用,只需选用2个外界部件(VC 管脚上的一个电阻和一个电容器器)以提升 LT8646S 的瞬态回应。图 3 示出了 5 V/8 A 导出 LT8646S 解决方法,图 4 则表明了选用提升赔偿所建立的负荷瞬态回应。
图 3.极低 EMI LT8646S 5 V、8 A 降血压型转化器(拓展频带方式被开启)。
图 4.LT8646S 12 V 至 5 V、2 A 负荷阶跃瞬态回应(图 3 所显示设计方案,fSW = 2 MHz)。
在该解决方法中,电源开关工作频率被设置在 2 MHz,因此容许应用一个小的 1 μH 电感。此外,LT8645S/LT8646S 还可在负载或短路故障状况下安全性地承担电感器器饱和状态,这归功于快速最高值电流量方式构架。因而,无须为了更好地解决过电流磁法勘探而应用过大的电感,除非是必不可少避免出现延迟时间较长的负载或短路故障。
LT8645S/LT8646S 均选用一种 Silent Switcher 2 构架,此构架融合了分开的热环城路和一体化旁路电容器。因而,EMI 特性对线路板合理布局不是脆弱的,进而在这些规定极低 EMI 的制定中消除了技术工程师的这一设计方案忧虑。图 5 得出了选用图 3 所显示解决方法时的 CISPR 25 辐射源 EMI 检测結果。 运用铁氧体磁珠和电容滤波器,电源电路可达到严苛的 CISPR 25 Class 5 限定。
图 5.图 3 所显示设计方案的 LT8646S CISPR 25 辐射源发送检测結果(14 V 键入至 5 V/4 A 导出,fSW = 2 MHz)。
小的最少关断時间和高降血压比
LT8645S 和 LT8646S 具备仅 40 ns 的最少关断時间,因此使其能适用高降血压比,乃至在 2 MHz 的高电源开关工作频率标准下也是如此。比如,在 2 MHz 工作频率下将 48 V 变换至 5 V 必须 52 ns 的关断時间,这也是选用大部分转化器都做不到的。该降血压比通常将规定技术工程师挑选一款二级转化器(具备一个正中间工作电压),可是,LT8645S 和 LT8646S 片式式稳压电源则皆能独立进行此变换,进而减少了开关电源规格和多元性。
图 6 示出了一款用以达 30 V 之键入的 1.8 V/8 A 导出解决方法,其选用了工作中在 1 MHz 电源开关工作频率的 LT8645S。假如绕过一些电源开关周期时间是可以接纳的,那麼键入可上升至 65 V 的肯定较大额定电流。当导出小于 3.1 V 时,LT8645S 的 BIAS 管脚可联接至一个高过 3.1 V(即 3.3 V 或 5 V)的外界开关电源,以改进高效率。
图 6.穿越重生 65 V 键入磁法勘探全过程运作的 LT8645S 1 MHz 1.8 V/8 A 运用电源电路。
结果
LT8645S 和 LT8646S 8 A 同歩极低 EMI 片式式电源开关稳压电源可给予中小型 6 mm x 4 mm LQFN 封装形式。其获专利权的 Silent Switcher 2 构架可完成非常低的 EMI 辐射源、效率高和紧密的解决方法占板总面积。键入可以达到 65 V。40 ns 的最少关断時间给予高降血压比,完成了立即低压导出,不用二级变换。
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